路透社：美(měi)國正計劃限制中國閃存芯片 三星躺槍 

手機、電腦(nǎo)等硬件設備都需要用(yòng)到閃存芯片，2020年，閃存市場(chǎng)的(de)産值突破560億美(měi)元，我國進口芯片超過2.4萬億元，7000億用(yòng)于進口存儲芯片，其中1300億是閃存芯片。近日，路透社報道，美(měi)國正考慮限制中國制造128層堆疊以上的(de)NANDFlash閃存芯片，限制對(duì)象包括長(cháng)江存儲，以此限制中國的(de)半導體産業發展。

消息人(rén)士透露，如果美(měi)國确定采取該項計劃，将對(duì)三星、SK海力士的(de)閃存工廠造成影(yǐng)響。據悉，三星在中國擁有兩家大(dà)型的(de)NANDFlash工廠，SK海力士此前收購(gòu)了(le)英特爾旗下(xià)在中國的(de)NANDFlash制造業務。還(hái)有人(rén)表示，美(měi)國将禁止向中國出口用(yòng)于制造128層堆疊以上NANDFlash閃存芯片設備。

值得(de)一提的(de)是，長(cháng)江存儲已成功量産128層NANDFlash，正積極研發232層NANDFlash，或将于年底量産。美(měi)國白宮在去年6月(yuè)發布的(de)一份報告中指出，長(cháng)江存儲的(de)低價戰略将對(duì)美(měi)國企業構成直接威脅。目前，美(měi)國商務部指控長(cháng)江存儲向華爲暢享20e提供NAND閃存芯片，違反美(měi)國的(de)出口禁令。